Porównanie pamięci RAM SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Wynik ogólny

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 62

Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.2 7.0

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16.7 9.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 14900

Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2065 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns