Comparação RAM SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Pontuação geral

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 62

Por volta de 40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.2 7.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.7 9.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 14900

Por volta de 1.29 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2065 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns