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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
34
Velocità di lettura, GB/s
8.2
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1223
3178
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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