RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1223
3178
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link