RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
52
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.5
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
52
Velocità di lettura, GB/s
8.2
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1223
2236
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link