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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
52
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.5
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
52
读取速度,GB/s
8.2
10.5
写入速度,GB/s
5.2
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1223
2236
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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