RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
52
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
52
Prędkość odczytu, GB/s
8.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1223
2236
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link