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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
48
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
32
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2029
2968
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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