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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
11.6
16.1
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2029
2968
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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