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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Confronto
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
43
Velocità di lettura, GB/s
13.2
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2185
1889
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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