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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Confronto
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
44
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2185
2069
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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