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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
44
读取速度,GB/s
13.2
13.0
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2185
2069
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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