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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
14.8
写入速度,GB/s
8.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3122
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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