RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3122
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link