RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
44
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
20.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
4247
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link