RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
71
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
46
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2961
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link