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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
71
Autour de -54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
46
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2961
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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