RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
71
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2961
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link