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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
14.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2186
2460
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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