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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2186
2973
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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