RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
83
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
83
Velocità di lettura, GB/s
14.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2186
1774
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link