RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
83
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
83
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2186
1774
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link