RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
66
Intorno -164% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
25
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3023
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link