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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,929.1
15.9
写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3023
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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