RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
66
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.2
2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
25
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
25.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
19.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
4167
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link