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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
66
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
44
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
1660
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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