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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
66
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
44
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
5.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
1660
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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