RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,076.1
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2711
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link