RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
68
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
25
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
2346
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link