RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
2346
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link