RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3042
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link