RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,013.5 left arrow 11.4
    テスト平均値
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 68
    周辺 -172% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    68 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,402.8 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,013.5 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    701 left arrow 2346

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAMの比較

Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
メモリRAM