RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3519
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link