RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
60
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
39
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2600
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link