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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
39
读取速度,GB/s
5,082.2
17.5
写入速度,GB/s
2,381.6
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2600
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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