RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
60
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,381.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
24
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2438
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link