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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
60
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
24
读取速度,GB/s
5,082.2
15.4
写入速度,GB/s
2,381.6
8.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2438
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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