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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
58
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8,883.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
58
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
1998
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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