RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
58
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
58
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
1998
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link