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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
58
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
58
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
1998
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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