RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
68
Intorno -300% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
1,670.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
17
Velocità di lettura, GB/s
3,554.9
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.7
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3481
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link