RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
68
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3481
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link