RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2502
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link