STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Punteggio complessivo
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 14.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 63
    Intorno -66% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.8 left arrow 1,447.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,231.0 left arrow 14.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,447.3 left arrow 10.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    478 left arrow 2298
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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