RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
50
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
37
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3518
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link