RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3518
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link