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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
50
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
30
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3044
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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