RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3044
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link