RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
3859
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link