RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2333
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link